GB/T6219-1998半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范

GB/T 6219-1998半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范最新版内容查询，英语名称Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz，发布日期：1998-11-17，实施日期：1999-06-01，GB/T6219-1998半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范国家标准最新版免费下载