GB/T45718-2025半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 分类：国家标准 大小：917KB 热度：3 点评：0 发布：2025-07-31 13:17:19 支持： 关键词： 电子学 在线阅览 标准下载 标准介绍 GB/T 45718-2025半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验最新版内容查询，英语名称Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers，发布日期：2025-05-30，实施日期：2025-09-01，GB/T45718-2025半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验国家标准最新版免费下载 上一篇：GB/T45721.1-2025半导体器件应力迁移试验第1部分：铜应力迁移试验 下一篇：GB/T29847-2025印制板用铜箔测试方法 相关标准 GB/T1762-1980漆膜回粘性测定法 GB/T9273-1988漆膜无印痕试验 GB/T4653-1984红外辐射涂料通用技术条件 GB/T9760-1988色漆和清漆液体或粉末状色漆中酸萃取物的制备 GB/T5211.4-1985颜料装填体积和表观密度的测定 GB/T9758.7-1988色漆和清漆“可溶性”金属含量的测定第七部分:色漆的颜料部分和水可稀释漆的液体部分的汞含量的测定无焰原子吸收光谱法 GB/T5209-1985色漆和清漆耐水性的测定浸水法 GB/T9758.3-1988色漆和清漆“可溶性”金属含量的测定第三部分:钡含量的测定火焰原子发射光谱法 GB/T6753.6-1986涂料产品的大面积刷涂试验 GB/T5211.9-2025颜料和体质颜料通用试验方法第9部分:相同类型着色颜料耐光性的比较 最新评论 我要评论 内容： 昵称： 邮箱： 网址： 取消回复
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