标准介绍
GB/T 43493.3-2023半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法最新版内容查询，英语名称Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence，发布日期：2023-12-28，实施日期：2024-07-01，GB/T43493.3-2023半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法国家标准最新版免费下载
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