GB/T36646-2018制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

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发布：2025-07-31 13:13:39

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GB/T 36646-2018制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备最新版内容查询，英语名称Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy，发布日期：2018-09-17，实施日期：2019-01-01，GB/T36646-2018制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备国家标准最新版免费下载

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