GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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发布：2025-07-31 13:14:54

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GB/T 29332-2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)最新版内容查询，英语名称Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)，发布日期：2012-12-31，实施日期：2013-06-01，GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)国家标准最新版免费下载

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