GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) 分类:国家标准 大小:844KB 热度:125 点评:0 发布:2025-07-31 13:14:54 支持: 关键词: 电子学 在线阅览 标准下载 标准介绍 若标准有缺失、过时等问题,欢迎您反馈。 GB/T 29332-2012半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)最新版内容查询,英语名称Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT),发布日期:2012-12-31,实施日期:2013-06-01,GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)国家标准最新版免费下载 上一篇:GB/T22181.23-2012等离子体显示器件第2-3部分:模块显示质量测量方法 下一篇:GB/T9532-2012压电单晶材料型号命名方法 相关标准 GB7258-2026机动车运行安全技术条件 GB 1589-2026汽车、挂车及汽车列车外廓尺寸、 轴荷及质量限值 GB45669.9-2026黄河流域工业用水定额 第9部分 烧碱 GB45669.7-2026黄河流域工业用水定额 第7部分 煤制甲醇 GB45669.5-2026黄河流域工业用水定额 第5部分 钢铁 GB45669.6-2026黄河流域工业用水定额 第6部分 石油炼制 GB45669.8-2026黄河流域工业用水定额 第8部分 硫酸 GB45670.6-2026黄河流域服务业用水定额 第6部分 室外人工滑雪场 GB45670.4-2026黄河流域服务业用水定额 第4部分洗浴场所 GB45670.3-2026黄河流域服务业用水定额 第3部分洗车场所 最新评论 我要评论 内容: 昵称: 邮箱: 网址: 取消回复
最新评论