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GB/T13151-2005半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第3篇电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范

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GB/T 13151-2005半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范最新版内容查询,英语名称Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section Three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A,发布日期:2005-03-23,实施日期:2005-10-01,GB/T13151-2005半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第3篇电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范国家标准最新版免费下载

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